900℃小型RTP爐OTF-1200X-4-RTP合肥科晶產(chǎn)品簡介:
OTF-1200X-4-RTP 是一款精巧型快速熱處理管式爐,配有4" 石英管和真空法蘭, 它是專為半導體或太陽能電池基片(最大達3“)的退火而設計,采用10KW紅外燈管加熱最快升溫速度為 50°C/秒. 30 段溫度控制,精度為 +/-1°C. 計算機通過RS485口和控制軟件實時控制爐子和顯示溫度曲線 。
900℃小型RTP爐OTF-1200X-4-RTP合肥科晶產(chǎn)品技術(shù)參數(shù):
名稱
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900℃小型RTP爐--OTF-1200X-4-RTP
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產(chǎn)品提示
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1、圖片未及時更新提示 2、多種配件可選提示 3、危險設備操作提示
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視頻
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基本參數(shù)
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工作溫度:最高900℃(<10min);
800℃(<30min);600℃(長期)
加熱區(qū):加熱區(qū)長度190mm
熱偶:進口K型熱偶, 緊貼在放樣品的AlN片下
電源:AC220V, 50Hz 單相, 最大功率12KW (> 60A 保險)
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爐體結(jié)構(gòu)
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·帶風冷的雙層鑄鋼外殼使得爐體表面溫度低于60℃(參考值)
·爐膛采用高純的氧化鋁纖維,最大程度上減少了熱量的損失
·不慎在加熱過程打開爐蓋,配備的連鎖保護開關(guān)會自動切斷電源
·內(nèi)爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設備的加熱效率,同時也可以延長儀器的使用壽命
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加熱元件
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8 根紅外燈管 (每個燈管功率1.5KW)

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升溫降溫速率
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最快升溫速率:
室溫~800℃: 50 ℃/s,800℃~900℃: 10℃/s
最快降溫速率:
60℃/min (在 200 mtorr下), 117℃/min (在一個大氣壓下)
最慢降溫速率10℃/min
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溫控系統(tǒng)
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·包含一款808P型溫度控制器
·PID自動控溫系統(tǒng)
·智能化30段可編程控制
·控溫精度:±1℃
·默認DB9 PC通信連接端口
·通過MET認證
可選購電腦溫度控制軟件(用于YD518P系列控制器)用于控制升溫曲線和導出數(shù)據(jù)。

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溫控系統(tǒng)(可選)
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·可選購歐陸型溫控儀表,控溫精確度可以提升到±0.1℃。
·具體詳情請致電公司銷售。
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石英管和樣品架
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·石英管尺寸: 4.33" O.D x 4.05" I.D x 15" Length
·AlN 具有很高的熱導率,所以在樣品放置的區(qū)域有很好的溫度均勻性±5℃
·可選:3"O.D的石墨襯底替代AlN陶瓷片
·可選:將含坩堝蓋蓋規(guī)格為87 O.D×71 I.D×12 H mm的石墨坩堝設計三個坩堝架,則可被改造成一個RTE,CSS或HPCVD爐,另外石墨坩堝表面涂有SiC涂層。
·樣品架也可從法蘭上拆卸,與其他類型RTP爐配套使用。
·一片3" AlN 片放在樣品架上用來放置需要退火的樣品。
·3" 的樣品架固定在滑動法蘭上,材質(zhì)為石英材料。

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真空法蘭
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· KF-25D型不銹鋼高真空法蘭上配有兩個高溫硅膠O形圈并安裝有針閥和水冷套。
·在冷卻水開啟的情況下設備可長期在≦600℃溫度下工作。
·循環(huán)水流量:0.5 m3/h(參考值)
·法蘭上安裝有滑軌可直接推拉操作,取放樣品簡單便捷,同時也可滿足其他特殊工藝的要求。
·可插入式的鎧裝熱電偶,使測得樣品溫度更加精確。
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真空系統(tǒng)(可選)
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·用機械泵真空度達 50 mtorr (參考值)
·用分子泵真空度可達 10E-4 torr (參考值)

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水冷機(可選)
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如果您沒有水冷機,選購一臺冷卻機是必要的。
·我們建議采用循環(huán)水制冷器作為冷卻系統(tǒng)(可節(jié)約用水).

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流量計
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標配流量計量程范圍:16 - 160 ml/min

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真空表
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此設備標配一個機械壓力表
可選配其他數(shù)字真空計,具體請點擊下方圖片或咨詢銷售部

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注意
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此爐可以增加鍍SiC的石墨坩堝改造成RTE(快速熱蒸發(fā))爐(可查看下方的圖片自己制備RTE)

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尺寸
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760(L)×330(W)×530(H) mm (法蘭關(guān)閉)
1200(L)×330(W)×530(H) mm (法蘭打開)

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凈重
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70Kg
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保修期
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一年保修,終身技術(shù)支持。
特別提示:1.耗材部分如加熱元件,石英管,樣品坩堝等不包含在內(nèi)。
2.因使用腐蝕性氣體和酸性氣體造成的損害不在保修范圍內(nèi)。
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認證
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所有電器元件(>24V)都通過UL/MET/CSA/CE認證,若客戶出認證費用,本公司保證單臺設備通過德國TUV認證或CAS認證。

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國家專利
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專利名稱:一種快速高溫退火爐
專利編號:ZL-2011-2-0077168.4
尊重創(chuàng)新、鄙視抄襲、侵權(quán)必究
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可選
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您可以將RTP爐,真空泵及混氣系統(tǒng)搭建組合為真空爐或CVD系統(tǒng)(點擊下面的圖1和圖2查看詳細信息)為帶氣氛保護下得到較快的降溫速度 <10℃/s, 你可以選擇帶滑軌的 RTP 爐,如下圖3
你可選購壓力控制模塊(點擊圖片4)來監(jiān)控并保持工作腔室壓力穩(wěn)定。
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使用注意事項
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·爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa
·由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高,所以向爐管內(nèi)通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全。(請點擊這里學習如何安裝減壓閥)
·當爐體溫度高于1000℃時,爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài),爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當,保持在常壓狀態(tài)
·進入爐管的氣體流量需小于200SCCM,以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊
·石英管的長時間使用溫度<1100℃
·對于樣品加熱的實驗,不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關(guān)注壓力表的示數(shù),若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa,必須立刻打開泄氣閥,以防意外發(fā)生(如爐管破裂,法蘭飛出等)
·這款爐子也可以被改造成RTE,CSS或HPCVD爐使用,同時石墨坩堝被碳化硅涂層(點擊下圖了解如何自行搭建RTE爐)

·在進行化學氣相沉積后,石墨烯可從金屬催化劑轉(zhuǎn)移到另一個基片襯底上,此法可被廣泛應用制備二維材料。通過CVD法生長的石墨烯,表面平整度高且無殘渣。
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