合肥科晶900℃ 雙溫區(qū)RTP爐OTF-1200X-IR-IISL

名稱

900℃雙溫區(qū)RTP爐-OTF-1200X-IR-IISL

基本參數(shù)

工作溫度：最高900℃（<10min）； 

800℃（<30min）；600℃（長期） 

加熱區(qū)：380mm    雙溫區(qū)：190mm+190mm 

熱偶：進口K型熱偶, 緊貼在放樣品的AlN片下 

電源：AC380V, 50Hz 兩相   最大功率：24KW

爐體結(jié)構(gòu)

·雙層殼體結(jié)構(gòu)，并帶有風冷系統(tǒng)，使殼體表面溫度低于60℃ 

·采用短波紅外燈管對樣品加熱，可達到快速加熱的效果

 ·樣品臺滑軌周圍嵌有可伸縮波紋管，允許樣品在真空或氣氛保護環(huán)境下移動,以達到快速加熱和快速降溫的效果（圖一） 

·內(nèi)爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設備的加熱效率，同時也可以延長儀器的使用壽命 

·設有開門斷電功能,提高實驗安全性（圖二圖三）

圖一	圖二	圖三

加熱元件

16根紅外燈管 (每個燈管功率1.5KW）

升溫降溫速率

最快升溫速率：

室溫~800℃： 50 ℃/s，800℃~900℃： 10℃/s

 最快降溫速率：

60℃/min (在 200 mtorr下), 117℃/min (在一個大氣壓下)  

最慢降溫速率10℃/min

溫控系統(tǒng)

·包含一款808P型溫度控制器

·PID自動控溫系統(tǒng) 

·智能化30段可編程控制 

·控溫精度：±1℃ 

·默認DB9 PC通信連接端口 

·通過MET認證 

可選購電腦溫度控制軟件(用于YD518P系列控制器)用于控制升溫曲線和導出數(shù)據(jù)。

石英管和樣品架

·石英管尺寸: 110 O.D x 106 I.D x 740mm（圖一） 

·AlN 具有很高的熱導率，所以在樣品放置的區(qū)域有很好的溫度均勻性±5℃（圖二） 

·可選：3"O.D的石墨襯底替代AlN陶瓷片（圖三） 

·可選：將含坩堝蓋蓋規(guī)格為87 O.D×71 I.D×12 H mm的石墨坩堝設計三個坩堝架，則可被改造成一個RTE,CSS或HPCVD爐，另外石墨坩堝表面涂有SiC涂層。 

·樣品架也可從法蘭上拆卸，與其他類型RTP爐配套使用。 

·一片3" AlN 片放在樣品架上用來放置需要退火的樣品。 

·3" 的樣品架固定在滑動法蘭上，材質(zhì)為石英材料。

圖一	圖二	圖三	圖四

真空法蘭

· KF-25D型不銹鋼高真空法蘭上配有兩個高溫硅膠O形圈并安裝有針閥和水冷套。 

·在冷卻水開啟的情況下設備可長期在≦600℃溫度下工作。 

·循環(huán)水流量:0.5 m3/h 

·法蘭上安裝有滑軌可直接推拉操作，取放樣品簡單便捷，同時也可滿足其他特殊工藝的要求。 

·可插入式的鎧裝熱電偶，使測得樣品溫度更加精確。

真空系統(tǒng)（可選）

·用機械泵真空度達 50 mtorr  

·用分子泵真空度可達 10E-4 torr 

 水冷機（可選）

如果您沒有水冷機，選購一臺冷卻機是必要的。

我們建議采用循環(huán)水制冷器作為冷卻系統(tǒng)（可節(jié)約用水）.

真空表

此設備標配一個機械壓力表 

可選配其他數(shù)字真空計，具體請點擊下方圖片或咨詢銷售部

提示

此爐可以增加鍍SiC的石墨坩堝改造成RTE(快速熱蒸發(fā)）爐（可查看下方的圖片自己制備RTE）

尺寸

1000（L）×540（W）×800（H） mm

凈重

180Kg

保修期

一年保修，終身技術支持。
特別提示：1.耗材部分如加熱元件，石英管，樣品坩堝等不包含在內(nèi)。

2.因使用腐蝕性氣體和酸性氣體造成的損害不在保修范圍內(nèi)。

認證

所有電器元件（>24V）都通過UL/MET/CSA/CE認證，若客戶出認證費用，本公司保證單臺設備通過德國TUV認證或CAS認證。

國家專利

專利名稱：一種快速高溫退火爐 

專利編號：ZL-2011-2-0077168.4

尊重創(chuàng)新、鄙視抄襲、侵權(quán)必究

可選

·您可以將RTP爐，真空泵及混氣系統(tǒng)搭建組合為真空爐或CVD系統(tǒng)

·為帶氣氛保護下得到較快的降溫速度 <10℃/s, 你可以選擇帶滑軌的 RTP 爐，如下圖3

·你可選購壓力控制模塊(圖片4)來監(jiān)控并保持工作腔室壓力穩(wěn)定。

·標配流量計量程范圍：16-160 ml/min，您可以在我公司選購其他流量計（圖5）

圖1	圖2	圖3	圖4

圖5

使用注意事項

·爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa 

·由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全。

·當爐體溫度高于1000℃時，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當，保持在常壓狀態(tài) 

·進入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊 

·石英管的長時間使用溫度＜1100℃ 

·對于樣品加熱的實驗，不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐管破裂，法蘭飛出等） 

·這款爐子也可以被改造成RTE,CSS或HPCVD爐使用，同時石墨坩堝被碳化硅涂層(點擊下圖了解如何自行搭建RTE爐)

·在進行化學氣相沉積后，石墨烯可從金屬催化劑轉(zhuǎn)移到另一個基片襯底上，此法可被廣泛應用制備二維材料。通過CVD法生長的石墨烯，表面平整度高且無殘渣。