合肥科晶可移動型1200℃管式爐OTF-1200X-S-HPCVD

高溫爐部分

• 爐體設(shè)計為開啟式，以便于更換爐管
• 工作電源：208 - 240 VAC, 50/60Hz
• 最大功率為：2KW
• 最高工作溫度：1200℃（<1hr)
• 連續(xù)工作溫度：1100℃
• 加熱區(qū)長度：200mm
• 爐管：高純石英管，尺寸50mm O.D x 44mm I.D x 450mm L
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溫度控制系統(tǒng)

• 采用PID30段程序化控溫，其控溫精度為+/-1℃
• 控溫儀表操作視頻
• 設(shè)有過熱和斷偶保護
• 熱電偶采用K型熱電偶
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真空密封

• 采用KF結(jié)構(gòu)密封法蘭，硅膠密封圈密封
• 法蘭上安裝有一機械壓力表
• 右端法蘭與一個真空不銹鋼波紋管連接（不銹鋼波紋管最大伸縮幅度為150mm)
• 真空度：10-2Torr(用機械泵抽）  10-5Torr(用分子泵抽）
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坩堝移動機構(gòu)&PLC控制

• 一個直徑為1/4＂的歐米伽鎧裝熱電偶（K型），通過法蘭伸入到爐管中，并可隨坩堝移動，可實時監(jiān)測樣品的實際溫度。
• 通過步進電機移動爐管內(nèi)的坩堝（樣品臺），最大行程為100mm，移動精度為1mm
• 通過觸摸屏設(shè)定坩堝一定的距離和目標位置，坩堝移動速度為180mm/min(更精確的移動速度，可與本公司聯(lián)系定制，需額外收費）
• 可觀察下圖，了解坩堝與熱電偶的安裝方法
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最大加熱速率和冷卻速率

可通過移動樣品到已預(yù)加熱的爐體中來得到最大的加熱速率，也可將樣品迅速移除高溫的爐體，來得到最大的降溫速率

可選配件

• 可選購手動擋板閥（圖1）
• 防腐型數(shù)顯真空計（圖4）
• 快速連接法蘭，以方便于放置樣品（圖2）
• 多路質(zhì)量流量計控制的混氣系統(tǒng)，用于CVD和DVD實驗（圖5）
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可選配石英氣體噴嘴，將反應(yīng)氣體與緩沖清洗氣體分開通入，可有效減少副反應(yīng)發(fā)生，實現(xiàn)高端CVD工藝，如局部控制前體濃度化學(xué)氣相沉積工藝（ALC CVD）或單晶二維材料薄膜的生長工藝等。

尺寸

質(zhì)保

一年質(zhì)保期，終生維護（不含加熱元件、爐管和密封圈）

質(zhì)量認證

• CE認證
• 所有電器元件（>24V）都通過UL / MET / CSA認證
• 若客戶出認證費用，本公司保證單臺設(shè)備通過德國TUV認證或CAS認證
       

注意事項

• 爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa
• 由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全
• 當爐體溫度高于1000℃時，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當，保持在常壓狀態(tài)
• 進入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊
• 石英管的長時間使用溫度＜1100℃
• 對于樣品加熱的實驗，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐管破裂，法蘭飛出等）

應(yīng)用

• 此款設(shè)備可用于多種實驗，以下列出了幾種實驗方法
• RTE（快速熱蒸發(fā)）：蒸發(fā)料放在坩堝中，放入到爐體中心，基片放在樣品臺上，樣品臺與熱電偶相連接，然后將樣品臺移動到理想的位置（此位置溫度是實驗所需要的溫度）
• HPCVD（混合物理化學(xué)沉積）：與RTE相似，但需配混氣系統(tǒng)，對反應(yīng)氣體混合并控制流量，同時也需設(shè)定蒸發(fā)料的位置（確定蒸發(fā)料的蒸發(fā)溫度）
• 水平布里奇曼（Bridgman）法來長晶體：將樣品和籽晶放入到坩堝中，并將坩堝放入到爐體中心位置，然后設(shè)定坩堝移動速度，慢慢移動坩堝