合肥科晶三靶射頻磁控濺射鍍膜儀VTC-3RF

設(shè)備名稱

三靶射頻磁控濺射鍍膜儀--VTC-3RF

產(chǎn)品提示

1、多種配件可選提示   2、特殊設(shè)備尺寸設(shè)備    3、科晶實驗室邀請?zhí)崾?/span>    4、配件妥善保管提示

主要特點

·標配的石英腔體（也可選配金屬腔體）方便觀察（圖1） 

·相比傳統(tǒng)濺射儀，體積小巧，拆裝方便（圖2） 

·模塊化設(shè)計，靶頭，電源等多種可選，自由DIY（圖3） 

·基臺可旋轉(zhuǎn)可加熱 

·可濺射金屬和氧化物。實驗室已初步制備了 氧化鋅、碲化鉍、ITO、ATO、AU、Ag、Cu、Al、Mg、Sc等薄膜。

圖1		圖2		圖3

基本參數(shù)

1、輸入電源：220V AC50/60Hz 

2、設(shè)備功率：<1500W 

3、靶臺加熱溫度：500℃ 

4、樣品臺轉(zhuǎn)速：0-10r/min 

5、靶頭可調(diào)傾角：0-25度 

6、濺射腔體尺寸：278mm OD x 272mm ID x310mm H。 

7、靶材尺寸要求：1英寸磁控濺射靶頭Φ25.4mm ×（0.1-3）mm(厚度）    2英寸磁控濺射靶頭Φ50mm ×（0.1-3）mm(厚度) 

8、最高使用功率：1英寸磁控濺射靶頭100W     2英寸磁控濺射靶頭300W

機體結(jié)構(gòu)

·設(shè)備配備三個直流射頻通用靶頭，1英寸2英寸尺寸可選。 

·儀器中安裝有直徑為50mm的不銹鋼可旋轉(zhuǎn)樣品臺，最高加熱溫度是500℃（圖1） 

·配有300W自動匹配射頻電源和500W的直流濺射電源（可自由選擇）（圖2）

·設(shè)備上配1/4英寸進氣口方便連接氣瓶（圖3） 

·配有靶頭電動升降臺（圖4） 

·配有高純石英密封罩（圖5）

圖1	圖2	圖3	圖4	圖5

配置可選

產(chǎn)品外形尺寸

·700mm L x 770 mm W x 1900 mm H 

·凈重：80 kg（不包括泵）

備注：此產(chǎn)品尺寸為參考值，可能存在一定的誤差。如果您對尺寸有精確的要求，請在購買前和我公司聯(lián)系確認，以免給您造成不便。

實驗室參考案例

以下數(shù)據(jù)僅針對合肥科晶設(shè)備，不具有普遍性。 

實驗案例照片 

氧化鋅		ATO		ITO
鎂		碲化鉍		鉑
金		銀		銅
鋁

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應(yīng)用技術(shù)提示

1、為了保證濺射效果，非導電靶材必須安裝銅墊塊 

2、有時為了達到理想的薄膜厚度，可能需要多次濺射鍍膜 

3、為了得到較好的薄膜質(zhì)量，必須通入高純氣體（建議> 5N） 

4、在濺射鍍膜前，確保濺射頭、靶材、基片和樣品臺的潔凈 

5、要達到薄膜與基底良好結(jié)合，請在濺射前清潔基材表面 

6、在分子泵出口安裝有一個可手動操作的擋板 

超聲波清洗：（1）丙酮超聲（2）異丙醇超聲-去除油脂（3）吹氮氣干燥（4）真空烘箱除去水分。

等離子清洗：可表面粗糙化，可激活表面化學鍵，可祛除額外的污染物。

制造一個薄的緩沖層（5納米左右）：如Gr，Ti，Mo，Ta，可以應(yīng)用于改善金屬和合金的附著力。 

警

示

CE認證

質(zhì)保